晶圆（Wafer）清洗分为湿法清洗和干法清洗，等离子清洗属于后者，处理时主要是去除晶圆表面肉眼看不到的表面污染物。在清洗过程中会先将晶圆放入等离子清洗机的真空反应腔体内，然后抽取真空，达到一定真空度后通入反应气体，这些反应气体被电离形成等离子体与晶圆表面发生化学和物理反应，生成可挥发性物质被抽走，使得晶圆表面变得清洁并具亲水性。那么，这种方式处理的晶圆封装等离子清洗机又有哪些特点呢？
等离子清洗晶圆是在千级以上的无尘室中进行的，对particle的要求极高，任何超标的particle存在，都会造成晶圆不可挽回的缺陷。所以设计等离子清洗机的腔体设计我们会选择铝质，而不是不锈钢材质。摆放晶圆的托架滑动部分，要尽量采用不容易产生粉尘和被等离子腐蚀的材料，电极和托架也要方便拆卸，便于日常维护。
而晶圆级封装（WLP，Wafer Level Package）是先进的芯片封装方式之一，即整片晶圆生产完成后，直接在晶圆上面进行封装和测试，然后把整个晶圆切割开来分成单颗晶粒；电气连接部分采用用铜凸块（Copper Bump）取代打线（Wire Bond）的方法，所以没有打线或填胶工艺。
在晶圆级封装时，我们需要的处理目的是去除表面的无机物，还原氧化层，增加铜表面的粗糙度，以提高产品的可靠性。而在芯片制作完成后残余，的光刻胶无法用湿式法清洗，只能通过等离子的方式进行去除，然而光刻胶较厚无法确定，所以还需要去调整相应的工艺参数。
包括等离子清洗机反应腔体内的电极间距和层数，以及气路分布，对于晶圆处理的均匀性都重大的影响等等，这些指标都需要不断试验来优化。
最后我们若是想要观察处理之后的晶圆产品效果是达标，可以简单通过观察水滴角的方式来判断。
