在微电子工业中光刻胶的清洗是一个十分重要的环节，传统是采用湿化方法进行清洗，但是具有不可控制和清洗不彻底的缺点，而且还会造成环境的污染，所以更环保更好控制的等离子干刻机，不但可以清楚更为复杂的光刻胶而且还不会对环境造成污染。
一、等离子干刻机去胶原理
等离子干刻机的去胶是一种干式的去胶方式，将产品放入设备中，通过真空泵抽空气体，使等离子干刻机保持真空状态，这时候将工艺气体放入设备中进行反应，产生活性等离子体，与表面的残胶发生反应；光刻胶的基本成分是碳氢化合物，在反应中，这些化合物会消失，产生一氧化碳、二氧化碳、水等。这些物质会被真空泵抽走，表面清洁就完成了。
二、等离子干刻机去胶优势
在过去，很多工厂都采用的湿式处理法，但是随着技术不断变革，产品不断升级，处理要求也随之升级，干式法逐步取代了湿式处理；
等离子干刻机的去胶只需气体的参与，无需化学试剂的浸泡，无需烘干，整个处理环保干净，清洗过程可控性非常强，而且不会对周围环境以及人员造成不良的影响；这种工艺还能够降低成本，提高产品的良品率以及生产效率，所以设备在半导体制程的各类方面都广泛的得到了应用。
残胶去除在半导体制造过程中非常重要。清洁是否干净彻底，表面有无破损等。都会影响后续的工艺，进而影响整体制造和性能，对良品率有重要影响。可见一个好的处理工艺，好的设备是可以影响产品的，等离子干蚀刻机是可以提高公司的利润，降低成本的。
